М. Н. Журавлев, В. Е. Земляков, Н. В. Гуминов, А. А. Зайцев, Д. С. Шпаков, И. В. Макарцев, К. В. Дудинов, В. И. Егоркин, “Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния”, Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 6,страницы 370

Физика полупроводниковых приборов

Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния

М. Н. Журавлев^a, В. Е. Земляков^a, Н. В. Гуминов^a, А. А. Зайцев^a, Д. С. Шпаков^a, И. В. Макарцев^a, К. В. Дудинов^b, В. И. Егоркин^a

^a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Москва, Зеленоград, Россия
^b Государственное научно-производственное предприятие "Исток", 141190 Московская обл., Фрязино, Россия

Аннотация: Исследован электрический пробой и СВЧ характеристики AlGaN/GaN-транзисторов с полевыми электродами различных конструкций, электрически соединенных с истоком через общую шину. Показано, что добавление полевых электродов увеличивает пробивное напряжение, повышает коэффициент усиления более чем на 2 дБ в диапазоне частот до 15 ГГц.

Ключевые слова: полевой электрод, нитрид галлия, GaN, мощный СВЧ HEMT, пробивное напряжение, максимально стабильное усиление.

Поступила в редакцию: 17.07.2025
Исправленный вариант: 27.08.2025
Принята в печать: 11.09.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61574.8391