Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной $\sim$20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH$_4$F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH$_4$F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InF$_x$/InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O$^{2-}$ и(или) OH$^-$-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов индия и мышьяка. Не выявлено различия в составе слоев, выращенных в обоих электролитах без фтора.