Многофотонное поглощение в алмазоподобных полупроводниках

Развивается теория межзонного поглощения сильной световой волны в алмазоподобных полупроводниках с вырожденной валентной зоной. Получено аналитическое выражение для вероятности многофотонного межзонного перехода, содержащее зависимость от интенсивности и частоты поглощаемого света, а также от параметров электронной и дырочной зон. Показано, что форма края поглощения зависит от четности числа поглощаемых фотонов. Положение края поглощения нечетного числа фотонов определяется приведенной массой электронов и легких дырок. В случае поглощения четного числа фотонов существуют два края, соответствующих легким и тяжелым дыркам. По измеренному на опыте расстоянию между краями четнофотонного поглощения можно найти $\gamma$ — параметр Латтинжера, определяющий разницу масс легких и тяжелых дырок.