Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$

Методами атомно-силовой микроскопии, микро-спектроскопии комбинационного рассеяния света и высокоразрешающей рентгеновской дифракции исследованы особенности пространственного упорядочения наноостровков SiGe в однослойных структурах, сформированных на напряженном буферном подслое Si$_{1-x}$Ge$_x$. Показано, что рост наноостровков на подслое Si$_{1-x}$Ge$_x$ не только стимулирует эффект их пространственного упорядочения, но и усиливает роль интердиффузионных процессов. Наблюдаемое необычно высокое увеличение объема островков в процессе эпитаксии связано с индуцированной неоднородным полем упругих деформаций аномально сильной диффузией материала из буферного подслоя в островки. Анизотропия формы и пространственного упорядочения островков обсуждается как следствие анизотропии диффузионных процессов в поле пространственно-неоднородных упругих напряжений.