Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, Г. Ю. Эйюбов, “Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6,страницы 721

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиев^a, О. В. Тагиев^ab, С. Г. Асадуллаева^a, Г. Ю. Эйюбов^a

^a Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Филиал Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова в г. Баку, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик образцов монокристаллов MnGa$_2$Se$_4$. Измерения проводились в интервале электрических полей от выполнения закона Ома до 10 В/см и при температурах 300–400 K. Полученные данные обсуждены в рамках теорий инжекционно-контактных явлений и полевой ионизации ловушек за счет эффекта Пула–Френкеля.

Поступила в редакцию: 04.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011