RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 769–774 (Mi phts8257)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства

А. В. Емельяновa, А. Г. Казанскийa, П. К. Кашкаровab, О. И. Коньковc, Е. И. Теруковc, П. А. Форшab, М. В. Хенкинa, А. В. Кукинc, M. Beresnad, P. Kazanskyd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, UK

Аннотация: Исследовано влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок гидрогенизированного аморфного кремния ($a$-Si : H) на изменение их структурных, фотоэлектрических и оптических свойств. Использованные в работе условия проведения лазерной обработки различной интенсивности приводили к неоднородному по поверхности изменению структуры пленки. Рост интенсивности облучения приводил к увеличению вклада нанокристаллической фазы в усредненную по поверхности образца структуру, а также к увеличению проводимости и фотопроводимости исследованных образцов. В то же время спектральная зависимость коэффициента поглощения для всех исследованных образцов, полученная методом постоянного фототока, имела форму, характерную для пленок аморфного кремния. Полученные результаты указывают на возможность увеличения фотопроводимости в пленках $a$-Si : H в результате их облучения фемтосекундными лазерными импульсами.

Поступила в редакцию: 01.12.2011
Принята в печать: 06.12.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:6, 749–754

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025