Создание и исследования фоточувствительности гетероструктур Ox/$n$-GaP

Методом безвакуумного термического взаимодействия кристаллов фосфида галлия с окружающей воздушной средой созданы первые фоточувствительные гетероструктуры Ox/$n$-GaP (Ox – естественный окисел). Выявлен фотовольтаический эффект гетероструктур, который преобладает при их освещении со стороны окисной пленки. Анализируются первые спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных гетероструктур, определен характер межзонных переходов и оценены значения ширины запрещенной зоны фосфида галлия. Сделан вывод о возможностях применения безвакуумного термического окисления гомогенных монокристаллов $n$-GaP в окружающей воздушной атмосфере для создания широкодиапазонных фотопреобразователей оптических излучений.