Влияние температуры осаждения пленки AlO$_x$ методом спрей-пиролиза на ее пассивирующие свойства в конструкции кремниевого солнечного элемента

Исследовано влияние температуры осаждения пленки AlO$_x$ в диапазоне 330–530$^\circ$C методом спрей-пиролиза на параметры кремниевых $(n^+pp^+)$Cz-Si/AlO$_x$ солнечных элементов при тыльном освещении. Обнаружено, что с ростом температуры осаждения AlO$_x$ уменьшаются все тыльные параметры: фототок с 25.4 до 24.1 мА/см$^2$, фотонапряжение с 611 до 598 мВ, эффективность с 12.2 до 10.9%, что свидетельствует об ухудшении пассивации $p^+$-поверхности пленкой AlO$_x$. Сделан вывод, что с увеличением температуры осаждения AlO$_x$ растет величина положительного заряда, встроенного в нестехиометрический межфазный слой SiO$_x$, образующийся между c-Si и AlO$_x$ в процессе осаждения AlO$_x$, что приводит к экранированию отрицательного заряда, локализованного на границе AlO$_x$/SiO$_x$, и соответственно к уменьшению индуцированной полем пассивации.