RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1450–1453 (Mi phts828)

Краткие сообщения

Модель многократного захвата с учетом прямых переходов носителей между локализованными состояниями

В. И. Архипов




© МИАН, 2024