Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

Представлены результаты экспериментального исследования субпикосекундной динамики релаксации фотоносителей в гетероструктуре In$_{0.22}$Ga$_{0.78}$As/GaAs с квантовыми ямами. На основе исследования фотолюминесценции структуры методом ап-конверсии была определена скорость “остывания” носителей в квантовой яме, а также время захвата носителей в яму, составляющее $\sim$1 пс при 300 K и 6.5 пс при 10 K.