Потенциальный барьер и фотопотенциал на интерфейсах пленок фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди на поверхности диоксида олова

Исследовано формирование потенциального барьера при осаждении ультратонких покрытий фталоцианина меди (CuPc) и 16-фторозамещенного гексадекафлюро-фталоцианина меди (F$_{16}$CuPc) на поверхность поликристаллического диоксида олова, а также при осаждении F$_{16}$CuPc-покрытия поверх пленки CuPc. При освещении приготовленных структур в видимом диапазоне длин волн обнаружено фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности. Фотопотенциал поверхности исследованных органических пленок имеет положительный знак относительно подложки, его спектральные зависимости соответствуют спектрам поглощения органических материалов CuPc и F$_{16}$CuPc. Измерения потенциала поверхности проводили с помощью тестирующего пучка медленных электронов на основе методики спектроскопии полного тока. В процессе осаждения пленки CuPc толщиной до 8 нм на подложку SnO$_2$ обнаружено суммарное уменьшение работы выхода на 0.2 эВ, а в случае F$_{16}$CuPc/SnO$_2$ интерфейса обнаружено увеличение работы выхода на 0.55 эВ. При этом на начальной стадии осаждения при толщине органических пленок на 1.5 нм пограничный потенциальный барьер соответствовал переносу электронной плотности от органической пленки в подложку как в случае CuPc/SnO$_2$, так и в случае F$_{16}$CuPc/SnO$_2$. Предположено, что фотоиндуцированное изменение потенциала поверхности вызвано разделением носителей заряда в пограничной области толщиной до 1.5 нм.