Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл

Исследовано влияние кислородной плазмы и термического отжига при 900$^\circ$C на вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур $n$-GaAs-анодный окисел-металл. В отличие от структур без отжига высокотемпературный отжиг в аргоне в течение 30 мин приводит к появлению зависимости емкости $(C)$ и проводимости $(G)$ от напряжения. Воздействие кислородной плазмы на пленку оксида галлия перед отжигом способствует дополнительному изменению вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик.