Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов

Исследованы электрофизические характеристики Ti- и Pt-контактов Шоттки к эпитаксиальным слоям $n$-GaAs с концентрацией носителей $<$ 10$^{12}$ см$^{-3}$ для детекторов частиц и квантов. Показано, что для расчета параметров контактов Шоттки на толстых высокоомных слабо компенсированных слоях GaAs предпочтительнее использовать диффузионную теорию переноса заряда. Рассчитанные высоты барьеров составили 0.84 и 0.87 эВ для Ti- и Pt-контактов соответственно. Изготовленные образцы поверхностно-барьерных детекторов показали линейный отклик в исследованном диапазоне энергий от 6 до 140 кэВ для $\gamma$-квантов и от 4 до 8 МэВ для $\alpha$-частиц, эффективность сбора заряда, близкую к 100%, и высокое энергетическое разрешение при комнатной температуре.