RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 1101–1107 (Mi phts8313)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем

А. С. Леньшинa, В. М. Кашкаровa, П. В. Серединa, Д. А. Минаковa, Б. Л. Агаповa, М. А. Кузнецоваb, В. А. Мошниковb, Э. П. Домашевскаяb

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы особенности роста многослойного пористого кремния со слоями различной пористости, полученного электрохимическим травлением на пластине монокристаллического кремния $n$-типа (111) с эпитаксиально сформированным на поверхности $p^+$-слоем. Установлена возможность получения многослойной системы упорядоченных пор различного размера в рамках одного технологического цикла и показаны различия в оптических характеристиках отдельных слоев полученной структуры.

Поступила в редакцию: 31.01.2012
Принята в печать: 03.02.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:8, 1079–1084

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025