RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 9, страницы 1163–1167 (Mi phts8324)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Комбинационное рассеяние света в пленках твердых растворов Bi$_2$(Te$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$

Н. А. Абдуллаевa, Н. М. Абдуллаевa, А. М. Керимоваa, С. Ш. Кахрамановa, А. И. Байрамовa, H. Miyamotob, K. Wakitab, Н. Т. Мамедовa, С. А. Немовc

a Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
b Chiba Institute of Technology, 275-0016 Narashino, Chiba, Japan
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом “горячей стенки” термическим испарением в вакууме получены тонкие пленки твердого раствора Bi$_2$(Te$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$. Из результатов исследований рентгеновской дифракции, рельефа поверхности с помощью атомно-силовой микроскопии, а также спектров комбинационного рассеяния установлено, что термический отжиг в вакууме в течение 1 ч при температуре 200oC приводит к существенному повышению степени кристаллизации полученных пленок. Выявлена оптимальная мощность возбуждающего лазерного излучения для исследования спектров комбинационного рассеяния в пленках Bi$_2$(Te$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$.

Поступила в редакцию: 20.02.2012
Принята в печать: 12.03.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:9, 1140–1144

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025