Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига

Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции структур SiC/por-SiC/TiO$_2$ до и после быстрой термической обработки. Показано, что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерных для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в 6H-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в пористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении.