Изохронный отжиг образцов $n$-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ

Выполнены экспериментальные исследования эффекта Холла на облученных протонами монокристаллах $n$-Si с исходной концентрацией электронов проводимости $N$ = 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-3}$. Показано, что при облучении протонами с энергией 25 МэВ наблюдается аномальное увеличение подвижности электронов, что объясняется образованием в кристалле металлических включений с омическим переходом на границе раздела с полупроводниковой матрицей. В процессе изохронного отжига вокруг металлических включений образуются непрозрачные для электронов проводимости оболочки из отрицательно заряженных акцепторных радиационных дефектов, что приводит к резкому уменьшению подвижности. Осцилляционная зависимость подвижности от температуры отжига объясняется изменением степени экранирования металлических включений отрицательно заряженными оболочками. Скопления межузельных атомов (металлические включения) отжигаются при 400$^\circ$C.