Исследование примесной фотопроводимости и люминесценции в кристаллах ZnSe : Ni в видимой области спектра

Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe : Ni в видимой области спектра. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe : Ni обусловлена оптическими переходами электронов с основного состояния $^3T_1(F)$ на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Обнаружена полоса фотопроводимости, обусловленная фотоионизацией примеси никеля. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe : Ni осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Ni$^{2+}$.