RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1327–1332 (Mi phts8350)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантового каскадного лазера

Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, В. А. Матиек, И. В. Бойко

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: В модели эффективной массы и прямоугольных потенциалов предложена теория активной электронной проводимости в постоянном электрическом поле трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного лазера. Показано, что выбранные геометрические параметры активных зон в первых экспериментально созданных квантовых каскадных лазерах оказались наиболее оптимальными, а экспериментальные и теоретические значения энергий излучения коррелируют между собой с точностью до нескольких процентов.

Поступила в редакцию: 13.02.2012
Принята в печать: 23.03.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:10, 1304–1309

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025