В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10,страницы 1339

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs

В. В. Кабанов^a, Е. В. Лебедок^a, Г. И. Рябцев^a, А. С. Смаль^a, М. А. Щемелев^a, Д. А. Винокуров^b, С. О. Слипченко^b, З. Н. Соколова^b, И. С. Тарасов^b

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Для лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с расширенным волноводом в предпороговой области определены скорости рекомбинации, обусловленные излучательными и безызлучательными процессами, а также рекомбинации, индуцируемой усиленной люминесценцией. Показано, что значение квантового выхода люминесценции для исследованных лазерных образцов составляет не менее 91.5%.

Поступила в редакцию: 28.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012