RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1468–1474 (Mi phts8378)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла

А. А. Ежевскийa, С. А. Попковa, А. В. Сухоруковa, Д. В. Гусейновa, N. V. Abrosimovb, H. Riemannb

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, Россия
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany

Аннотация: При исследовании кремния, обогащенного изотопом $^{28}$Si с малым содержанием кислорода ($N\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$) при низких температурах ($T$ = 3.8 K) обнаружено семейство спектров ЭПР с анизотропными $g$-факторами, связанных с изолированным донорным центром Li, линии которых относятся к триплетным и дублетным состояниям. Спектры исследовались как без приложения, так и с приложением внешней нагрузки к образцу, и их $g$-факторы были меньше двух ($g<$ 2.000), что существенно отличает их от спектров, полученных в более ранних работах. Исходя из теоретических и экспериментальных оценок, сделанных на основе анализа спектров с помощью спинового гамильтониана, установлено, что состояния донорных электронов лития и их $g$-факторы существенно зависят от внутренних напряжений в кристалле, а также междолинных спин-орбитальных взаимодействий.

Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:11, 1437–1442

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025