Эта публикация цитируется в
4 статьях
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
А. А. Ежевскийa,
С. А. Попковa,
А. В. Сухоруковa,
Д. В. Гусейновa,
N. V. Abrosimovb,
H. Riemannb a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950, Нижний Новгород, Россия
b Leibnitz Institute for Crystal Growth,
D-12489 Berlin, Germany
Аннотация:
При исследовании кремния, обогащенного изотопом
$^{28}$Si с малым содержанием кислорода (
$N\approx$ 2
$\cdot$ 10
$^{14}$ см
$^{-3}$) при низких температурах (
$T$ = 3.8 K) обнаружено семейство спектров ЭПР с анизотропными
$g$-факторами, связанных с изолированным донорным центром Li, линии которых относятся к триплетным и дублетным состояниям. Спектры исследовались как без приложения, так и с приложением внешней нагрузки к образцу, и их
$g$-факторы были меньше двух (
$g<$ 2.000), что существенно отличает их от спектров, полученных в более ранних работах. Исходя из теоретических и экспериментальных оценок, сделанных на основе анализа спектров с помощью спинового гамильтониана, установлено, что состояния донорных электронов лития и их
$g$-факторы существенно зависят от внутренних напряжений в кристалле, а также междолинных спин-орбитальных взаимодействий.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012