Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках

В двуминизонном приближении исследовано туннелирование электрона в полупроводниковых сверхрешетках с несимметричными элементарными ячейками. Показано, что в слабых электрических полях в условиях “антикроссинга” ванье-штарковских лестниц вероятность межминизонного туннелирования на одном периоде сверхрешетки не зависит от начального квазиимпульса и может принимать минимальные значения. В тех же полях значения тока – максимальны. Предсказаны зависимости вероятности межминизонного туннелирования и тока от направления поля. Выявлена роль диагональных элементов оператора координаты.