RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1537–1541 (Mi phts8388)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Спиновые свойства трионов в плотном квазидвумерном электронном газе

В. П. Кочерешкоab, L. Besombesc, R. T. Coxc, H. Mariettec, T. Wojtowiczd, G. Karczewskid, J. Kossutd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
c Институт Нееля, CNRS, Гренобль, Франция
d Институт физики Польской академии наук, Варшава, Польша

Аннотация: Исследованы спектры отражения и фотолюминесценции от структур с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe с модулированным легированием. Обнаружено, что величина и знак зеемановского расщепления линии отражения триона зависят от концентрации электронов в квантовой яме, в то же время величина и знак расщепления линии экситона абсолютно одинаковы для всех изучаемых электронных концентраций. В спектрах фотолюминесценции величина и знак зеемановских расщеплений экситона и триона были равны. Такая “перенормировка” трионного $g$-фактора объясняется в модели комбинированных экситон-электронных процессов.

Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:12, 1502–1505

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025