Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин, “Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8,страницы 1501

Краткие сообщения

Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)

Ж. И. Алфров, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, В. Б. Халфин