Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе

Представлены результаты исследований влияния добавки водорода при росте тонких слоев ($\sim$2–3 нм) InGaN на их структурные свойства и свойства светодиодных структур, содержащих в активной области гетероструктуры InGaN/GaN. Показано, что, помимо известного эффекта уменьшения среднего состава по In, добавка водорода приводит к изменению локальной фазовой сепарации в слоях InGaN. Добавка водорода при росте InGaN изначально вызывает подавление локальной фазовой сепарации, а добавка водорода при прерываниях роста после осаждения InGaN приводит к уменьшению размеров сформированных локальных In-обогащенных областей и к некоторому увеличению в них локального содержания атомов In.