RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 306–311 (Mi phts8479)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Модель нелинейного пропускания света диэлектрическими нанокомпозитами

В. П. Дзюба, А. Е. Краснок, Ю. Н. Кульчин, И. В. Дзюба

Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток

Аннотация: Предложена теоретическая модель коэффициента пропускания лазерного излучения диэлектрическими нанокомпозитами с малой концентрацией наночастиц. Показано, что основными механизмами низкопороговых эффектов нелинейного поглощения и рассеяния лазерного излучения являются, во-первых, индуцирование дипольного электрического момента наночастицы во внешнем поле, а во-вторых, ориентация наночастиц вдоль направления поляризации этого поля. Рассмотрено поведение коэффициента пропускания вблизи центральной частоты отдельной полосы поглощения, а также зависимость глубины этой полосы от интенсивности внешнего поля.

Поступила в редакцию: 25.05.2010
Принята в печать: 25.08.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 295–301

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026