RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, выпуск 3, страницы 365–371 (Mi phts8489)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb

А. Н. Именковa, В. В. Шерстневa, Е. А. Гребенщиковаa, М. А. Сиповскаяa, М. И. Ларченковa, Д. И. Тарасовa, А. Н. Барановb, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut d’Electronique du Sud (IES), Université Montpellier II, CNRS, IES (UMR CNRS 5214), 34095 Montpellier, France

Аннотация: Исследовано спектральное и пространственное распределение излучения лазеров, работающих на модах щепчущей галереи (WGM-лазеры) с резонатором в форме полудиска. В пространственном распределении выделяются до 13 широких лепестков разной интенсивности, разделенных на более узкие (на порядок) лепестки. Спектр излучения близок к одномодовому. Предложена математическая модель распределения электромагнитного поля в WGM-лазере и рассчитана диаграмма направленности лазерного излучения. Показано, что каждый широкий лепесток соответствует своей устойчивой пространственной радиальной моде. Установлено, что наибольшую интенсивность излучения дает не сама периферийная мода, а следующая за ней, которая, по-видимому, имеет наименьшие оптические потери. Преобладание одной пространственной моды приводит к наблюдению практически одномодового спектра излучения.

Поступила в редакцию: 17.08.2010
Принята в печать: 25.08.2010


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2011, 45:3, 355–361

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026