RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1512–1515 (Mi phts851)

Краткие сообщения

Неомическая прыжковая проводимость анизотропно деформированных кристаллов $p$-GaSb

Д. И. Аладашвили, З. А. Адамия, К. Г. Лавдовский




© МИАН, 2024