Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76–100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами

Исследовано влияние конструкции метаморфного буфера на морфологию поверхности и на электрофизические свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с содержанием InAs в активном слое от 76 до 100% при использовании подложек GaAs и InP. Показано, что такие параметры, как подвижность и концентрация электронов, а также среднеквадратичная шероховатость поверхности существенно зависят от конструкции метаморфного буфера. Экспериментально установлено, что эти параметры в большей степени зависят от максимального локального градиента параметра решетки метаморфного буфера в направлении роста слоев, чем от среднего его значения. Показано, что подбором конструкции метаморфного буфера возможно создание наноструктурированных поверхностей с крупнопериодическим рельефом.