Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs

Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As с высокой мольной долей In (0.7–0.8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12.3 $\cdot$ 10$^3$ см$^2$ $\cdot$ B$^{-1}$ $\cdot$ с$^{-1}$ при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1.1–1.4 раза при введении тонких (1–3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2.5 $\cdot$ 10$^7$ см/с в электрических полях 2–5 кВ/см. Величина порогового поля $F_{\mathrm{th}}$ для междолинного $\Gamma$–$L$ переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2.5–3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля $F_{\mathrm{th}}$ в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs.