Кристаллизационная способность, оптические и электрические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников Ge$_{10}$(Se–Te)$_{90}$ и Ge$_{30}$(Se–Te)$_{70}$

Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники тройной системы Ge–Se–Te по разрезам Ge$_{10}$(Se–Te)$_{90}$ и Ge$_{30}$(Se–Te)$_{70}$. Исследованы кристаллизационная способность, спектры пропускания в ближней инфракрасной области спектра и температурная зависимость электропроводности полученных сплавов. Показано, что халькогенидные стеклообразные полупроводники разреза Ge$_{10}$(Se–Te)$_{90}$ обладают меньшей температурой размягчения и кристаллизации по сравнению с полупроводниками разреза Ge$_{30}$(Se–Te)$_{70}$. Зарегистрировано изменение на несколько порядков электропроводности образцов при фазовом переходе из стеклообразного в кристаллическое состояние. Найдены составы халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge–Se–Te, имеющие в области длин волн $\lambda\approx$ 1.5 мкм коэффициент поглощения $<$1 см$^{-1}$ и характеризующиеся термически индуцированным фазовым переходом стеклообразное-кристаллическое состояние.