Индуцированная радиационно-термическим воздействием полоса люминесценции с ${h\nu_{m}\simeq 1.2}$ эВ в $p$-GaAs

В облученных электронами (${E=2.2}$ МэВ, ${\Phi=10^{16}\,\text{эл/см}^{2}}$), а затем прогретых при ${T\geqslant250^{\circ}}$С компенсированных теллуром кристаллах $p$-GaAs наблюдалось появление сравнительно интенсивной полосы люминесценции с $h\nu_{m}$ вблизи 1.2 эВ, указывающее на эффективную генерацию в них при радиационно-термическом воздействии донорно-акцепторных пар Te$_{\text{As}}V_{\text{Ga}}$. Приведенные данные свидетельствуют об образовании при электронном облучении арсенида галлия стабильных при ${T\lesssim200^{\circ}}$С радиационных дефектов в его галлиевой подрешетке, а также о достаточно высокой вероятности излучательных электронных переходов в созданных радиационно-термическим воздействием парах Te$_{\text{As}}V_{\text{Ga}}$.