Фотостимулированное поглощение в полуизолирующем GaAs$\langle$Cr$\rangle$

Приводятся результаты исследований спектров фотопроводимости больших объемных образцов полуизолирующего GaAs$\langle$Cr$\rangle$ в интервале температур ${190\div300}$ K при действии на образец фотостимулирующего излучения. Обсуждается схема энергетических уровней и электронных переходов, соответствующих экстремумам на спектральной зависимости фотопроводимости.
Установлено, что относительная высота пика собственного поглощения возрастает при накачке излучением с длинами волн ${\lambda=0. 63}$ и 1.15 мкм и очень слабо зависит от температуры, оставаясь наиболее интенсивной для излучения накачки с ${\lambda=0.63}$ мкм. Относительные высоты пиков, соответствующих примесной фотопроводимости, слабо зависят от накачки излучением ${\lambda=0.63}$ мкм и сильно растут при накачке с ${\lambda= 1.15}$ мкм. Облучение образца излучением ${\lambda=0.63}$ мкм при 190 K позволило разрешить дополнительный максимум в спектре примесной фоточувствительности.