Механизмы протекания тока в структурах $n$-Si${-}p^{+}$-SiGe

В широком диапазоне токов и температур исследованы прямые и обратные ветви ВАХ резких $n$-Si${-p^{+}$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$}-гетероструктур (${0.01\leqslant x\leqslant0.3}$). Показано, что определяющим механизмом протекания как прямого, так и обратного токов в таких структурах является туннельный механизм, описываемый в рамках модели многоступенчатого туннелирования Райбена–Фойхта и имеющий, вероятно, дислокационную природу. В области малых обратных смещений и высоких температур обнаружен генерационный ток Са–Нойса–Шокли через глубокий уровень с энергией активации порядка половины ширины запрещенной зоны кремния.