Теория компенсации полупроводников методом дрейфа ионов легирующей примеси

Компенсация полупроводников с помощью дрейфа ионов примеси рассматривается как сугубо нестационарный процесс, аналогичный переходному току, ограниченному объемным зарядом, в твердом теле. Показано, что он может быть условно разбит на два независимых процесса: установление со временем концентрации компенсирующей примеси и ее дрейф во внешнем электрическом поле. В результате получен закон изменения концентрации дрейфующей примеси со временем, являющийся ключом к пониманию механизма компенсации. Найдены зависимость глубины области компенсации от времени и распределение концентрации компенсирующей примеси по глубине в произвольный момент времени. Результаты работы позволяют получить целостное представление о процессе компенсации.