RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 373–375 (Mi phts88)

Краткие сообщения

К теории диффузионных примесных профилей с зависящими от концентрации коэффициентами диффузии

М. И. Синдер

Калининский государственный университет

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.02.1985
Принята в печать: 02.10.1985



© МИАН, 2024