Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия

Приведены результаты исследования вольтамперных характеристик в прямом и обратном направлениях $p{-}n$-переходов в SiC, полученных ионным легированием Аl в тонкие эпитаксиальные слои с концентрацией нескомпенсированных доноров ${N_{D}-N_{A}=(1.5\div9)\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ и низким уровнем компенсации, выращенные сублимационным «сэндвич-методом» на низкоомных подложках. При высоких плотностях прямого тока в структурах типа $p{-}n{-}n^{+}$ наблюдается эффект модуляции эпитаксиального слоя. Показана аналогичность электрических характеристик микроплазменного и однородного пробоев. Получены зависимости пробивного напряжения и напряженности электрического поля при пробое от градиентов концентрации электрически активных акцепторов в области $p{-}n$-перехода, а также отрицательный температурный коэффициент пробивного напряжения.