Гашение низкотемпературной экситонной люминесценции в «чистых» кристаллах сульфида кадмия с барьером Шоттки

Исследован эффект гашения экситонной низкотемпературной фотолюминесценции в МП структуре на основе CdS с целью установления его физической природы в «чистых» монокристаллах сульфида кадмия. Показано, что гашение экситонной фотолюминесценции (ЭФЛ) вызвано ударной ионизацией экситонов и экситонных комплексов горячими электронами.
Для описания кинетики гашения использована зависимость ${I=I_{0}(1+\gamma_{i}n\tau_{\text{экс}})}$, где $I_{0}$ — интенсивность ЭФЛ без поля (${E=0}$), $I$ — интенсивность при приложении поля, $n$ — концентрация свободных носителей. Коэффициент ударной ионизации $\gamma_{i}$ был представлен в форме, аналогичной характерной для Лавинного пробоя: ${\gamma_{i}=CE^{m}\exp(-E^{2}_{0}/E^{2})}$, $C$ и $E_{0}$ — величины, зависящие от параметров материала и порога ионизации, m принимает различные целочисленные значения в зависимости от вида изучаемого материала. Получено хорошее согласие экспериментальных данных с предложенным теоретическим описанием.