Транспорт электронов в квантовой яме In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером в сильных электрических полях

Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов $n_s$ с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости $n_s$ от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As слоя зарядов ионизованных доноров в области $\delta$-легированного Si барьера In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As.