Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN

Методами спектроскопии электроотражения и электролюминесценции исследованы интерференционные эффекты в светодиодных гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN синего свечения. Наблюдаемые в спектрах электроотражения и электролюминесценции в синей области спектра периодические полосы обусловлены интерференционными эффектами в структуре в целом. Появление интерференционных полос в спектрах электроотражения объясняется модуляцией встроенных электрических полей в активной области гетероструктуры. Наблюдаемые в спектрах электроотражения длиннопериодные интерференционные полосы в широкой области спектра, от инфракрасной до ультрафиолетовой, позволяют определить положение активной области гетероструктуры по отношению к различным отражающим поверхностям в резонаторе.