Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом

Исследовано влияние изменения базиса решетки фотонного кристалла на люминесцентные свойства встроенных в них излучателей. Фотонные кристаллы представляли собой субволновые квадратные решетки из Si-дисков со встроенными в них GeSi-квантовыми точками. Базис менялся за счет изменения размера дисков в одной из подрешеток с удвоенным периодом. Исследование методом микро-фотолюминесценции показало, что такое изменение структуры фотонного кристалла приводит к многократному усилению интенсивности отдельных пиков фотолюминесценции в области излучения GeSi-квантовых точек. Теоретический расчет излучательной способности исследуемых структур подтверждает, что в основе обнаруженного эффекта лежит увеличение локальной плотности оптических состояний в модифицированной структуре.