Вольтамперные характеристики структур AuGaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$/GaAs в свете флуктуационной теории термополевой эмиссии в барьерах Шоттки

Исследованы температурные зависимости вольтамперных характеристик барьеров Шоттки Au/$n$-GaAs$_{1-x$Sb$_{x}$} в диапазоне температур ${77 < T < 450}$ K. Установлено, что наблюдавшиеся избыточные токи туннельного характера описываются новой флуктуационной теорией избыточных туннельных токов для контакта металл–сильно компенсированный полупроводник. Было обнаружено, что во всех исследованных структурах наблюдаются протяженные прямолинейные участки корневой зависимости логарифма тока $I_{\text{обр}}$ от напряжения обратного смещения, характерные для флуктуационной теории. При низких температурах наклон прямых постоянен. При повышении температуры прямолинейный участок, соответствующий этой зависимости, сохраняется, а его наклон быстро убывает с ростом температуры выше критической $T_{0}$. Найденные значения параметров позволяют определить концентрацию ${N_{D}-N_{A}}$ и ${N_{D}+N_{A}}$, где $N_{D}$, $N_{A}$ — концентрации «фоновых» примесей доноров и акцепторов в пленках $n$-GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ соответственно.