Оптическая диагностика поверхности наногетероструктур в процессе выращивания

Показано, что все этапы выращивания гетероструктур с ультратонкими слоями GaAs и AlAs толщиной в несколько монослоев могут эффективно контролироваться по измерениям отражения и анизотропного отражения in situ в реальном масштабе времени. Изменение состава слоев на прямых гетерограницах GaAs/AlAs активной области резонансно-туннельного диода зарегистрировано с разрешением по толщине на уровне одного монослоя. Получены резонансно-туннельные диоды с отношением “пик–долина” и плотностью пикового тока, равными 3.3 и 6.6 $\cdot$ 10$^4$ А/см$^2$ соответственно.