Особенности лазерного отжига антимонида индия в среде жидкого азота

Представлены результаты исследования наносекундного импульсного лазерного отжига (${\tau_{\text{и}}=10}$ нс, ${\lambda=1.064}$ мкм) антимонида индия в среде жидкого азота. С использованием численного моделирования показаны особенности такого отжига: изменение температурных полей, существенное импульсное давление (${700\div1100}$ атм) на поверхность InSb со стороны азота из-за его быстрого нагрева выше критической температуры.
По данным экспериментальных исследований, на облученной поверхности наблюдается образование высокоотражающей фазы с коэффициентом отражения ($R$) (${\lambda=0.6328}$ мкм) до 60%. Обнаружена четкая корреляция между величиной $R$ и плотностью мощности излучения. В послеимпульсный период времени (${7\div10}$ ч) происходит релаксация $R$ до начального значения (${R_{\text{InSb}}=46}$%).
Анализ экспериментальных данных по изучению отражательной способности, результаты электронографии, растровой электронной микроскопии, оже-анализ свидетельствуют о протекании структурных превращений в поверхностной области InSb с образованием метастабильной кристаллической модификации в результате действия трех факторов: нагрева, генерации неравновесных носителей заряда (${\sim10^{20}\,\text{см}^{-3}}$) и импульсного давления, что согласуется с известными теоретическими работами.