RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 10, страницы 1756–1761 (Mi phts900)

Распределение электронов при диффузной инжекции через гетеропереход

В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов


Аннотация: Предложена полуфеноменологическая модель для расчета функции распределения электронов, инжектированных через гетеропереход из эмиттера с более широкой запрещенной зоной, при их диффузном рассеянии на неоднородностях перехода. Рассчитаны функции распределения для ряда характерных случаев. Проанализировано влияние характера рассеяния электронов при инжекции через гетеропереход на вид функции распределения и на предельные характеристики биполярного гетеротранзистора.



© МИАН, 2024