Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью атомарного водорода

Изучено влияние атомарного водорода, вводимого в материал из микроволнового плазменного разряда, на электрическую активность мелких донорных и акцепторных центров в арсениде галлия $n$- и $p$-типа. Показано, что при такой обработке происходит пассивация как доноров, так и акцепторов, причем в отличие от кремния эффективность процесса практически одинакова в электронном и дырочном материале. Предполагается, что в диффузии и образовании комплексов преобладающую роль играет нейтральный водород. Оценена величина энергетического барьера для образования комплексов (около 0.2 эВ).