Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs

Методом фотоэлектрической лазерной магнитоспектроскопии исследован $n$-GaAs с разностной концентрацией доноров и акцепторов ${10^{12}\div10^{15}\,\text{см}^{-3}}$. Проведен анализ химического состава мелких доноров в слоях, выращенных по различной технологии. В спектрах фотовозбуждения ${1s\to2p_{-1}}$ особочистых газофазных слоев наблюдались узкие (меньше 4 мкэВ) линии доноров Ge, S, Sn, Se, Si, Pb и неидентифицированного донора с энергией связи больше Sn и меньше S. Изучена зависимость формы линий фотовозбуждения от интенсивности межзонной подсветки и напряженности постоянного электрического поля.