Бесфоновый спектр поглощения Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ и зависимость фотопроводимости эпитаксиальных слоев от толщины

Проведены прямые бесфоновые измерения спектра и кинетики коэффициента поглощения $\alpha(h\nu)$ для Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ (${x\simeq0.23}$) при температуре 4.2 K. Определен вклад внутрицентрового поглощения в $\alpha$. Показано, что поверхностные состояния и поверхностная рекомбинация не оказывают заметного влияния на процесс фотопроводимости. На основании полученных данных оценена концентрация глубоких центров в материале: ${N_{d}\simeq4\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, что много меньше концентрации примеси индия ${N(\text{In})=1\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$. Оценены сечения поглощения для отрицательного и положительного фотоэффектов, которые соответственно равны ${S_{1}=4\cdot10^{-14}}$ и ${S_{2}=5\cdot10^{-15}\,\text{см}^{2}}$.