Обменное взаимодействие при гибридизации локализованных и зонных состояний в магнитосмешанных полупроводниках

Рассмотрена теория обменного взаимодействия носителей тока с локализованными спиновыми моментами в магнитосмешанных полупроводниках. В модели, описывающей гибридизацию и виртуальные переходы между локализованными и вырожденными $\Gamma_{15}$-зонными состояниями полупроводника, выведен эффективный спиновый гамильтониан носитель-ионного обменного взаимодействия. Обсуждаются возможные проявления указанного механизма в магнитосмешанных полупроводниках на основе A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ и его роль в антиферромагнитном обменном взаимодействии переходных элементов группы железа и электронов валентных зон в этих кристаллах. Рассмотрено приложение общей теории к описанию гигантского спинового расщепления в ван-флековском парамагнитном полупроводнике (Zn, Fe)Se, что позволило объяснить опубликованный ранее экспериментальный материал и установить величины и знаки обменных констант для Fe$^{2+}$ в ZnSe. Исходя из полученных результатов, а также литературных данных по гигантским спиновым расщеплениям различных участков энергетического спектра дырочных зон в (Cd, Мn)Те проведен сравнительный анализ гибридизационного и прямого механизмов обменного взаимодействия в этих соединениях.