Двухстадийная релаксация электронной температуры в ограниченном кристалле $n$-InSb в квантующем магнитном поле

Экспериментально исследована релаксация температуры электронов в $n$-InSb с ${n=1.2\cdot 10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ при ${T=1.6\div4.2}$ K в магнитных полях ${B\leqslant5}$ Т. Измерения проводились «динамическим» методом — с помощью изучения релаксации проводимости за времена 3$-$100 нс. Показано, что релаксация электронной температуры определяется двумя двухстадийными конкурирующими процессами. На первой стадии в одном из каналов происходит взаимодействие электронов с длинноволновыми акустическими фононами, а в другом — косвенное взаимодействие с более коротковолновыми фононами через появляющиеся в сильном магнитном поле нейтральные центры. На второй стадии происходит релаксация избыточной энергии фононов на границе образца. Показано принципиальное различие времен, определенных стационарным и динамическим методами.